SanDisk объявляет о прорыве в области флеш-памяти

Компания SanDisk объявила о двух своих новых достижениях в области флеш-памяти. Первым из них является скорое начало массового производства чипов по технологии X4 (4-bits-per-pixel), использующих 43 нм процесс. Это позволит разместить на одной ячейке 64 Гбит памяти — наивысшая емкость в индустрии.

Кроме того, совместно с Toshiba компания объявила о начале применения 32 нм процесса для X3 — нынешнего поколения NAND-памяти. Благодаря этому, емкость одной ячейки на чипе возрастет до 32 Гбит. Размеры модуля памяти при этом не увеличатся, соответствуя формату microSD-карт — наиболее популярному сейчас методу хранения данных в мобильных устройствах.