Toshiba разработала самые скоростные с самой высокой плотностью в мире модули NVRAM

Компания Toshiba анонсировала сегодня о разработке ею нового прототипа FeRAM (ферроэлектронное ОЗУ) модуля, который, с её слов, открывает новую точку отсчета в индустрии для скорости передачи данных и их плотности. Новый чип имеет емкость 128 Мбит и способен достичь скоростей чтения/записи данных в 1,6 Гб/сек., что на сегодняшний день является рекордным показателем по плотности и скорости.

Полная информация о новом FeRAM модуле будет предоставлена на этой неделе на Международной конференции ISSCC2009 (International Solid-State Circuits Conference 2009) в Сан-Франциско (США).

Новинка является модификацией собственной оригинальной архитектуры chainFeRAMTM, которая внесла существенный вклад в уплотнение чипа. Кроме того, новая микросхема, прогнозирует и контролирует отклонения в электропитании, поддерживая высокоскоростную передачу данных. Это позволило интегрировать интерфейс DDR2 с максимальной передачей данных и высокой пропускной способностью, при низком энергопотреблении, осуществляя чтение и запись данных на скорости 1,6 гигабайт в секунду. При разработке новой FeRAM, компания Toshiba побила свой собственный рекорд чипа с 32-мегабит плотностью и скоростью передачи данных в 200 Мбит/сек., прибавив в производительности восемь крат по скорости передачи данных и плотности, в сравнении с предыдущим рекордом и став быстрее по скорости любого другого NVRAM модуля.